東莞記憶研發(fā)總部-2號研發(fā)大樓3號地下室工程之幕牆安裝工程

返回列表

項目介紹
工程概況

Project description

項目介紹

記憶科技集團成立於1997年，在深圳、蘇州、北京、成都、上海、東莞設有六大研發(fā)中心，在東莞、惠州、鄭州設有三座現(xiàn)代化製造基地，能夠為全球客戶提供從晶圓測試與分級、晶片封裝與測試，擁有數(shù)十條世界一流的全自動化高速SMT生產(chǎn)線。
東莞記憶儲存科技有限公司坐落在東莞美麗的松山湖高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，目前主要從事動態(tài)隨機儲存（DRAM)和快閃記憶體（FLASH）晶片封裝測試及工控產(chǎn)品與伺服器製造。
創(chuàng)興建設承接了記憶研發(fā)總部-2號研發(fā)大樓/3號地下室工程之幕牆安裝工程，本工程位於松山湖金多港西一路東側(cè)，規(guī)劃用地面積為20000 ㎡，總建築面積為27265.57 ㎡，其中1 號研發(fā)建築面積為9449.86 ㎡及地下室498.31 ㎡，2號研發(fā)建築面積7150.31 ㎡及地下室建築面積10665.41㎡。

Project profile

工程概況

項目地址：廣東省東莞市松山湖金多港西一路東側(cè)

承建範圍：帷幕牆工程，包含玻璃帷幕牆、門工程，陶土板帷幕牆，填充牆，金屬飾面，天花板及雨蓬系統(tǒng)、玻璃欄桿、金屬格柵、鋁錳鎂板輕型屋頂?shù)裙?、製作、安裝所需的一切專案；

承建面積： 17815.72 ㎡

完成時間： 2023年2月6日 —— 2023年6月6日

工期時長： 120天

相關案例

合通科技運營總部項目

廣東合通建業(yè)科技股份有限公司是一家專業(yè)生產(chǎn)、研發(fā)PCB的國家高新技術企業(yè)。具備提供“樣品→中小批量→大批量”的綜合製造能力，月產(chǎn)量10萬平方米以上。