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東莞記憶研發(fā)生產(chǎn)中心項目

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Project description
項目介紹
東莞記憶存儲科技有限公司坐落在東莞美麗的松山湖高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，目前主要從事動態(tài)隨機儲存（DRAM)和閃存（FLASH）晶片封裝測試及工控產(chǎn)品與伺服器製造。 創(chuàng)興建設承接了記憶運營研發(fā)生產(chǎn)中心-辦公樓（A） -06標段工程項目、記憶運營研發(fā)生產(chǎn)中心一期中試車間（一）二層車間改造項項目和憶運營研發(fā)生產(chǎn)中心（三期）項目之2.3樓裝修工程。
Project profile
工程概況

項目地址： 東莞松山湖工業(yè)東路32號

承建範圍：（1）、2F-4F萬級淨化車間及1F倉庫及機房（地面加固、冰水機系統(tǒng)+空調、空壓機系統(tǒng)+ 管道、集塵系統(tǒng)+管道、配電、消防、無塵室內安裝、防靜電地板膠）  （2）、淨化車間及倉庫等（冰水機系統(tǒng)+空調、 空壓機系統(tǒng)+管道、配電、消防、無塵室 內安裝、環(huán)氧地面） （3）、3F淨化車間/2F倉庫（冰水機系統(tǒng)+空調、 空壓機系統(tǒng)+管道、配電、消防、無塵室內安裝、防靜電環(huán)氧地面）

承建面積： （1）、11000㎡ （2）、6100㎡ （3）、9800㎡

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